火狐娱乐一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级统治职员确保半年度陈说实质具体凿性、切确性、完全性，不存正在虚伪记录、误导性陈述或宏大漏掉，并继承个人和连带的执法义务。

　　公司已正在本陈说中描摹恐怕存正在的危急，敬请查阅“第三节统治层商议与分解”之“五、危急峻素”个别，敬请投资者注意投资危急。

　　五、 公司认真人龚轶、主管管帐管事认真人谢长勇及管帐机构认真人（管帐主管职员）谢长勇声明：确保半年度陈说中财政陈说具体凿、切确、完全。

　　本陈说中所涉及的将来谋略、兴盛计谋等前瞻性陈述不组成公司对投资者的实际首肯，敬请投资者注意投资危急。

　　十一、 是否存正在对折以上董事无法确保公司所披露半年度陈说具体凿性、切确性和完全性 否

　　深圳国中中幼企业兴盛私募股权投资基金协同企业（有限协同）， 曾用名“中幼企业兴盛基金（深圳有限协同）”

　　上海国策科技成立股权投资基金协同企业（有限协同），曾用名 “上海国和人为智能股权投资基金协同企业（有限协同）”

　　财务部于 2006年 2月 15日公布的企业管帐标准及其运用指南 和其他闭系章程，以及闭系章程、指南的每每之修订

　　常温下导电机能介于导体与绝缘体之间的质料。常见的半导体材 料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是种种半导体质料中， 正在贸易运用上最拥有影响力的一种

　　半导体分立器件，与集成电道相对而言的，采用特其它半导体例 备工艺，完毕特定简单性能的半导体器件，且该性能往往无法正在 集成电道中完毕或正在集成电道中完毕难度较大、本钱较高。分立 器件首要网罗功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等

　　又称电力电子功率器件电子就是负电荷，首要用于电力配置的电能变换和电道控 造，是实行电能（功率）管束的重心器件，弱电把握和强电运转 间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的首要构成个别

　　构，目前已遍及运用正在电力电子电道中，也可能零丁行动分立器 件运用以完毕特定性能

　　MOSFET栅极组织通过沟槽工艺造备，拥有高元胞密度、低导 通损耗等特质

　　超等结功率 MOSFET 产物、超结 MOS、超结 MOSFET 、 Super Junction MOSFET

　　基于电荷平均时间表面，正在古代的功率 MOSFET中参与 p-n柱 彼此耗尽来抬高耐压和消浸导通电阻的器件组织，拥有管事频率 高、导通损耗幼、开闭损耗低、芯片体积幼等特质

　　障蔽栅功率 MOSFET、 障蔽栅沟槽型功率 MOSFET、障蔽栅 MOSFET、障蔽栅组织 MOSFET、SGT、SGT MOSFET、瓜分栅器件

　　基于电荷平均时间表面，正在古代的功率 MOSFET中参与出格的 多晶硅场板实行电场调造从而抬高耐压和消浸导通电阻的器件 组织，拥有导通电阻低、开闭损耗幼、频率性情好等特质

　　绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET和双极性晶体管的优 点，如输入阻抗高、易于驱动、电流才略强、功率把握才略高、 管事频率上等特质

　　Tri-gate IGBT，一种公司采用独立常识产权 Tri-gate器件组织的 改进型 IGBT产物系列

　　将分立器件或分立器件和集成电道按肯定的电道拓扑封装正在一 起，造玉成体模块化产物。该类产物集成度高、功率密度高、功 率把握才略强，往往运用于大功率或幼体积的电力电子产物

　　始末半导体例备工艺加工后的晶圆片半造品，进一步通过封装测 试可能造成半导体器件产物。每片 8英寸晶圆包罗数百颗至数 万颗数目不等的单芯片

　　仍旧封装好的 MOSFET、IGBT等产物。晶圆创造竣工后，必要 封装才可能运用，封装表壳可能给芯片供应撑持、爱戴、散热以 及电气连结和远隔等影响，以便使器件与其他电容、电阻等无源 器件和有源器件组成完全的电道体系

　　指笔直一体化形式，半导体行业中从芯片计划、晶圆成立、封装 测试到贩卖的笔直整合型公司

　　半导体行业中风行的交易样子，指公司“没有成立交易、只一心 于研发计划”的一种运作形式，也用来指未具有芯片成立工场的 IC 或功率器件计划公司

　　芯片计划企业将计划计划竣工后，由芯片代工企业通过采购晶圆 质料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺成立出芯片

　　封装和测试,最初把已成立竣工的半导体芯片实行封装，再对元 器件实行组织及电气性能具体认，以确保半导体元件切合体系的 需求，通盘进程被称为封装测试

　　碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体质料的代表之一，拥有禁 带宽度大、热导率高和击穿电场上等本质，极端合用于高压、大 功率半导体功率器件界限

　　氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体质料的代表之一，拥有禁 带宽度大、热导率高、电子饱和转移速度高、直接带隙、击穿电 场上等本质

　　Lighting Emitting Diode，即发光二极管，是一种半导体固体发光 器件，运用固体半导体芯片行动发光质料，正在半导体中通过载流 子复合发生光子

　　Electro-Magnetic Interference，即电磁滋扰，是滋扰电缆信号并降 低信号完整性的电子噪音

　　为导通或驱动 MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。数值越幼， 开闭损耗越幼，从而可完毕高速开闭

　　器件开首导通时 MOSFET 源-漏极之间或者 IGBT发射极-集电 极之间的电压差

　　用功率 MOSFET做整流器时，哀求栅极电压务必与被整流电压 的相位依旧同步，以竣精巧流性能

　　对电芯的爱戴，使电芯管事正在安然限度内，锂电爱戴监测电芯使 用途境，正在分表状况阻断电芯充放电，造止电芯无间运用

　　把直流电能（电池、蓄电瓶）改观成定频定压或调频调压互换电 （普通为 220V,50Hz正弦波）的转换器，由逆变桥、把握逻辑和 滤波电道构成

　　Yole Développement SA，一家法国市集筹议与计谋斟酌公司，专 注于功率半导体与 MEMS传感器等界限

　　注：本半年度陈说中所列出的数据恐怕因四舍五入道理与凭据本半年度陈说中所列示的闭系单项数据准备得出的结果略有差异。

　　1、2023年上半年,规划行为发生的现金流量净额较上年同期削减87.42%，首要系陈说期内，公司生意周围不断增加，采办商品、回收劳务支拨的现金填补较多所致。

　　2、公司于陈说期内奉行了2022年度血本公积金转增股本预案，因血本公积金转增股本导致股本填补，故以调动后的股数从头准备并列示上年同期的的根本每股收益、稀释每股收益、扣除非通常性损益后的根本每股收益。

　　计入当期损益的当局补帮，但与 公司平常经生意务亲热闭系，符 合国度计谋章程、依照肯定模范 定额或定量不断享福的当局补帮 除表

　　企业赢得子公司、联营企业及合 营企业的投资本钱幼于赢得投资 时应享有被投资单元可辨认净资 产平允价钱发生的收益

　　除同公司平常经生意务闭系的有 效套期保值交易表，持有往还性金 融资产、衍生金融资产、往还性金 融欠债、衍生金融欠债发生的平允 价钱变化损益，以及办理往还性金 融资产、衍生金融资产、往还性金 融欠债、衍生金融欠债和其他债权 投资赢得的投资收益

　　凭据税收、管帐等执法、准则的 哀求对当期损益实行一次性调动 对当期损益的影响

　　对公司凭据《公拓荒行证券的公司新闻披露诠释性通告第1号——非通常性损益》界说界定的非通常性损益项目，以及把《公拓荒行证券的公司新闻披露诠释性通告第1号——非通常性损益》中罗列的非通常性损益项目界定为通常性损益的项目，应阐发道理。

　　第三节 统治层商议与分解 一、 陈说期内公司所属行业及主生意务处境阐发 (一) 所处行业处境 1、 行业的兴盛阶段、根本特质、首要时间门槛 （1）所处行业 公司是一家以高机能功率器件研发与贩卖为主的时间驱动型半导体企业，凭据中华公民共和 国国度统计局宣布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“准备机、通讯 和其他电子配置成立业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分界限。 （2）行业兴盛大概 ○1环球功率半导体市集分解 正在功率半导体兴盛进程中，20世纪 50年代，功率二极管、功率三极管面世并运用于工业和 电力体系。20世纪 60至 70年代，晶闸管等半导体功率器件火速兴盛。20世纪 70年代末，平面 型功率 MOSFET兴盛起来。20世纪 80年代后期，沟槽型功率 MOSFET和 IGBT逐渐面世，半导 体功率器件正式进入电子运用时期。20世纪 90年代，超等结 MOSFET逐渐显示，突破了古代硅 基产物的机能束缚以餍足大功率和高频化的运用需求。对国内市集而言，功率二极管、功率三极 管、晶闸管均分立器件产物大个别已完毕国产化，而功率 MOSFET极端是超等结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产物因为其时间及工艺的繁复度，还较大水准上依赖进口，将来进口替换空间巨 大。凭据 Omdia预测，2022年环球功率半导体市集周围约为 295.35亿美元电子就是负电荷，估计至 2026年市集 周围将增加至 358.65亿美元，2019-2026的年化复合增加率为 5.8%。 数据起源：Omdia

　　目前国内功率半导体家当链正正在日趋完好，时间也正正在赢得打破。同时，中国也是环球最大的功率半导体消费国。凭据 Omdia预测：2022年中国功率半导体市集周围到达 114.77亿美元，估计至 2026年市集周围将增加至 131.76亿美元，2019-2026的年化复合增加率为 4.7%，占环球 市集比例亲热 37%。 数据起源：Omdia ○3分产物市集分解 A. MOSFET 以光伏逆变及储能、新能源汽车为代表的家当飞速兴盛，驱动高端 MOSFET市集太平增加。 凭据 Omdia数据：2022年环球 MOSFET市集为 95亿美金，2018-2025年间市集希望支柱 4.2%的 复合增速。2022年中国功率 MOSFET器件市集周围为 44.80亿美元，功率 MOSFET极端是超等 结 MOSFET等高端分立器件产物因为其时间及工艺的繁复度，还较大水准上依赖进口，将来进口 替换空间浩瀚。 数据起源：Omdia

　　相较于平凡硅基 MOSFET功率器件，高压超等结 MOSFET功率器件系更先辈、更合用于大电流情况下的高机能功率器件。虽然将来正在第三代半导体质料成熟后会有相应器件的推出，然则因为高压超等结 MOSFET的产物性情、坐褥本钱等方面临于新能源等滋长性运用界限的需求较为 契合，行业生态一向向更高机能的产物演进。 B. IGBT器件 国度正在“十四五”时代将周旋明净低碳计谋偏向，加疾化石能源明净高效运用，鼎力胀动非化 石能源兴盛，不断增加明净能源消费占比，胀动能源绿色低碳转型，为准期完毕碳中和标的创设 基本。光伏发电行动绿色环保的发电体例，切合国度能源改良以质地效益为主的兴盛偏向，国内 光伏行业面对宽敞的兴盛远景。汽车电动化、网联化、智能化兴盛趋向发动汽车半导体需求大幅 度增加。IGBT除了光伏发电、新能源汽车也常被用于风电、工控、家电、轨交等界限，受益于碳 中和趋向胀动，IGBT迎来宽敞的滋漫空间。 数据起源：Omdia

　　面临国际社会正在半导体界限的巨额进入、合伙兴盛和时间家当封闭，国内各级当局从家当计谋、兴盛谋划、时间研发、平台创立、运用推论、税收优惠等各方面临半导体家当实行周到援救，正在计谋驱动及运用需求升级发动下，国内第三代半导体家当赢得踊跃起色。凭据 Yole，2027年环球导电型碳化硅功率器件市集周围将由 2021年的 10.90亿美元增至 62.97亿美元，2021-2027年每年以 34%年均复合增加率火速增加。汽车运用主导 SiC市集，占通盘功率 SiC器件市集的 75%以上。凭据 TrendForce集国斟酌《2023 GaN功率半导体市集分解陈说- Part1》显示，环球 GaN功率元件市集周围将从 2022年的 1.8亿美金滋长到 2026年的 13.3亿美金，复合增加率高达 65%。

　　功率半导体器件属于特性工艺产物，差异于集成电道产物依赖尺寸，正在造程方面不找寻极致的线宽，不遵从摩尔定律。功率半导体器件的机能演进闪现平缓的趋向，目前造程根本太公允在 90 nm-0.35 μm之间。功率器件兴盛的环节点首要网罗时间改进、成立工艺升级、封装时间及基性质料的迭代。

　　目前，半导体企业采用的规划形式可能分为 IDM形式和 Fabless形式。IDM形式为笔直整合元件成立形式，系早期半导体企业遍及采用的形式，采用该形式的企业可能独立竣工芯片计划、晶圆成立、封装和测试等各笔直的坐褥枢纽。Fabless形式指无晶圆厂形式，采用该形式的企业一心于芯片的研发计划与贩卖，将晶圆成立、封装、测试等坐褥枢纽表包给第三方晶圆成立和封装测试企业竣工。IDM形式拥有时间的内部整合上风，有利于积攒工艺经历，造成重心角逐力。跟着芯片终端产物和运用的日益繁杂，芯片计划难度火速晋升，研发所需的资源和本钱不断填补，促使环球半导体家当分工细化，Fabless形式已成为芯片计划企业的主流规划形式之一。此表因为半导体行业的周期性，IDM公司极容易受造于原有固定产能，陷入被动大局。所以，行业全体闪现 IDM形式与 Fabless形式共存的大局，同时也是功率半导体企业贸易形式将来的兴盛偏向，既能随市集动摇实时增加或削减产能，也可能就近餍足区域性市集需求。

　　新能源汽车尚处于兴盛初期，新机缘正正在一向显露，以车载电子、光伏逆变及储能为代表的多细分运用场景需求趋于多元化。功率半导体企业从主营产物系列实在到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、时间特质及运用界限，可交叉组合造成数千种产物型号。功率半导体产物因为凭据客户定造哀求所发生的细分需求多样化，因此企业思要好手业内得到足够的市集角逐力，对待特性化工艺平台的定造化才略哀求极高。

　　功率半导体器件的研发、计划必要企业研发团队归纳掌管器件组织、晶圆成立工艺、封装测试等多界限的时间。正在功率半导体器件中，超等结 MOSFET、高机能 IGBT、高机能 SGT MOSFET、SiC MOSFET及 GaN HEMT的时间门槛较高。上述这些功率器件中，器件的机能一方面可能通过革新重心器件组织的计划来晋升机能，另一方面可能通过革新成立工艺或质料来到达主意。行动Fabless计划企业，研发计划职员一方面需不断跟踪掌管国际先辈时间表面、先辈工艺法子，另一方面还需一向提出改进的器件组织来完毕机能上的大幅晋升。

　　功率器件不光要依旧正在差异电流、电压、频率等运用情况下太平管事，还需依旧开闭损耗、导通损耗、抗打击才略、耐压、功用等机能进取行平均，这些机能均需始末大方的仿真计划和流片验证。另表，下旅客户不光对功率半导体的机能和本钱提出了分别化的哀求，还对产物正在种种运用情况下的耐久牢靠性提出较高的哀求，所以研发计划职员还需掌管差异运用的电道拓扑及牢靠性革新法子。所以，企业研发及工程团队必要具有充裕的时间工艺经历、不断时间改进才略、芯片家当化等才略，才略不断依旧市集角逐上风位子。新进入者若缺乏上述的要求，则难以完毕不断的交易增加和依旧时间上的当先。

　　基于多年的时间上风积攒、家当链深度纠合才略以及良好的客户改进任事才略，公司已成为国内当先的高机能功率半导体厂商之一。

　　正在超等结 MOSFET界限，公司正在高压超等结时间界限积攒了网罗优化电荷平均时间、优化栅极计划及缓变电容重心原胞组织等行业当先的专利时间，产物的环节时间目标到达了与国际当先厂商可比的秤谌。

　　正在中低压障蔽栅 MOSFET界限，公司亦积攒了网罗优化电荷平均、自瞄准加工等重心时间，产物的环节时间目标到达了国内当先秤谌。

　　正在 IGBT界限，公司的 TGBT产物是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor(简称 Tri-gate IGBT)器件组织的宏大原始改进，基于此基本器件专利，具备了赶超目前国际最为先辈的第七代IGBT芯片的时间势力。

　　正在 SiC界限，公司基于自立常识产权的 Si C MOSFET产物克造了古代 SiC MOSFET本钱高和 Vth飘移的短处，完毕了高栅氧牢靠性。同时还完毕了亲热 SiC MOSFET的良好的反向还原才略，也许庖代一个别 SiC MOSFET的运用。

　　公司的功率器件产物包罗了拥有高时间含量的高压超等结 MOSFET产物、极具角逐力的中低压障蔽栅 MOSFET以及独创组织、产物的环节时间目标到达了与国际当先厂商可比秤谌的 TGBT2

　　产物。公司基于自立常识产权的 Si C MOSFET产物正在 2023年上半年不断出货，可能完毕对古代SiC MOSFET的相互替换，仍旧通过客户的验证并幼批量供货。个中，因为高压超等结 MOSFET产物运用遍及且表洋厂商仍霸占了较大的市集份额，公司正在此界限内具有宽敞的进口替换空间，兴盛空间浩瀚。

　　公司产物以车规级、工业级运用为主，陈说期内上述界限生意收入占比逾 81%。运用界限网罗光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通讯电源、数据核压任事器电源和工业照明电源等。因为车规级、工业级运用对功率半导体产物的机能和牢靠性哀求广大高于消费级运用，其产物均匀单价也较消费级运用的产物均匀单价更高。

　　3、 陈说期内新时间、新家当、新业态、新形式的兴盛处境和将来兴盛趋向 （1）新时间的兴盛处境及将来兴盛趋向

　　采用新型器件组织的高机能 MOSFET功率器件可能完毕更好的机能，从而导致采用古代时间的功率器件的市集空间被升级替换。变成该等趋向的首要道理是高机能功率器件的坐褥工艺一向实行时间演进，当采用新时间的高机能 MOSFET功率器件坐褥工艺演进到成熟太平的阶段时，就会对现有的功率 MOSFET实行替换。同时，跟着各个运用界限对机能和功用的哀求一向晋升，也必要采用更高机能的功率器件以完毕产物升级。所以，高机能 MOSFET功率器件会一向增加其运用限度，完毕市集的普及。将来的 5年中会显示新时间一向增加市集运用界限的趋向。实在而言，沟槽 MOSFET将替换个别平面 MOSFET；障蔽栅 MOSFET将进一步替换沟槽 MOSFET；超等结MOSFET将正在高压界限替换更多古代的 VDMOS。

　　第三代半导体质料首要为碳化硅和氮化镓，拥有禁带宽度大、电子转移率高、热导率高的特质，正在高温、高压、高功率和高频的界限有机遇庖代个别硅质料。最初，因为新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新时间的运用及需求赶疾填补，第三代半导体的家当化变得尤其危急。得益于SiC MOSFET正在高温下更好的展现，SiC MOSFET正在汽车电控中将逐渐对硅基 IGBT模块实行替换。

　　除了功率器件正在组织及工艺方面的优化表，终端界限的高功率密度需求也发动了功率器件的模块化和集成化。正在中大功率运用场景中，客户更偏向于运用大功率模块。因为大功率模块必要多元件电气互联，同时要探究高温失效和散热题目，其封装工艺和组织更繁复；正在幼功率运用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来抬高集成度从而减幼全体计划的体积。目前，工业界限、新能源汽车仍是功率模块的首要运用界限。而芯片时间的晋升可有用抬高模块的集成度和归纳机能，消浸本钱，是模块时间晋升的紧张要素。

　　受益于光伏逆变及储能、新能源汽车、直流充电桩、基站以及数据核心电源等市集对待高机能功率器件的需求将一向填补，以高压超等结 MOSFET为代表的高机能产物正在功率器件界限的市集份额以及紧张性将一向晋升。

　　跟着环保认识的加紧，能源组织改良的危急需求，可再生资源对古代能源的替换趋向日益彰彰，光伏行业的高景心胸可恒久延续。凭据 CPIA、国度能源局数据：2020年以后，正在计取利好的靠山下，国内光伏新增装机容量同比大幅填补，2021年完毕新增装机 54.88GW，同比上升 13.9%，创史书新高。截至 2021年尾，环球累计光伏装机容量高出 940GW，个中国内为 308GW，占比由2013年尾的不够 15%晋升至 2021年尾的高出 30%，周围上风一向巩固。2022年，光伏家当仍依旧兴旺的景气态势，国内光伏发电新增装机 87.41GW再改进高，较上年增幅高出 60%，当年尾累计装机容量约 393GW。行动光伏家当链终端的重心配置，光伏逆变器的市集出货量直回收益于下游光伏发电装机量的增加。正在环球光伏发电新增装机周围火速增加的靠山下，光伏逆变器的市集出货量也不断填补。

　　凭据 Wood Mackenzie数据，估计到 2025年环球光伏逆变器市集空间将到达 300GW，对应营收达 180亿美元，远景宽敞。

　　2021年，国度兴盛改良委、国度能源局合伙印发的《闭于加疾胀动新型储能兴盛的引导偏见》提出，到 2025年电子就是负电荷，完毕新型储能装机周围到达 3,000万千瓦以上的标的。将来 3-4年的装机总量高出之前近 10年的总增加量。凭据《储能家当筹议白皮书 2023》数据，截至 2022岁晚，环球已投运电力储能项目累计装机周围 237.2GW电子就是负电荷，年增加率 15%。2022年中国电力储能累计装机周围达59.4GW，估计 2025年装机周围将到达 64.06GW，总体依旧太平增加态势。

　　新能源汽车拥有本钱、功用和环保等上风。跟着家当链逐渐成熟、消费者认知度抬高、产物多元化以及运用情况的优化和革新，新能源汽车越来越受到消费者的认同，估计将来新能源汽车的渗出率将一向抬高。

　　正在置备税减半等促消费计谋、新能源汽车不断依旧高速增加。与古代内燃机汽车比拟，网罗了轻度搀杂动力汽车、插电式搀杂动力汽车和纯电动汽车的新能源车型的渗出率增加赶疾。公安部宣布数据显示：截至 2023年 6月 30日火狐娱乐，天下新能源汽车保有量达 1,620万辆，占汽车总量的4.9%。个中，纯电动汽车保有量 1,259.4万辆，占新能源汽车总量的 77.8%。2023年上半年新注册备案新能源汽车 312.8万辆，同比增加 41.6%，创史书新高。新能源汽车新注册备案量占汽车新注册备案量的 26.6%。

　　跟着汽车电动化、智能化、网联化的变化趋向，新能源汽车对能量转换的需求一向巩固，汽车电子将迎来组织性改变，胀动车规级功率器件兴盛。

　　正在古代燃料汽车中，汽车电子首要分散于动力传动体系、车身、安然、文娱等子体系中。对待新能源汽车而言，汽车不再运用汽油煽动机、油箱或变速器，而由“三电体系”即电池、电机、电控体系取而代之。为完毕能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机把握体系、DC/DC模块、高压辅帮驱动电子就是负电荷、车载充电体系 OBC、电源统治 IC等部件，个中的功率半导体含量大大填补。从半导体品种上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和 MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。凭据 Strategy Analytics分解，古代燃料汽车中功率半导体芯片的占比仅为 21.0%，而纯电动汽车中功率半导体芯片的占比高达 55%。

　　相较于燃料汽车，电动车功率器件对管事电流和电压有更高哀求。新增需求首要来自以下几个方面：逆变器中的 IGBT模块、DC/DC中的高压 MOSFET、辅帮电器中的 IGBT分立器件、OBC中的超等结 MOSFET。功率半导体是新能源汽车价钱量晋升最多的个别，需求端首要为 IGBT、MOSFET及多个 IGBT集成的 IPM模块等产物。

　　2020年，充电桩被列入国度七大“新基修”界限之一。2020年 5月两会时代，《当局管事陈说》中夸大“创立充电桩，推论新能源汽车，胀励新消费需求、帮力家当升级”。追随新能源汽车保有量的高速增加，新能源汽车充电桩行动配套基本步骤亦完毕了火速增加。凭据中国电动汽车充电基本步骤鞭策同盟（EVCIPA）宣布的数据：2022年 1～12月，充电基本步骤增量为 259.3万台，个中群多充电桩增量同比上涨 91.6%，随车配修幼我充电桩增量不断上升，同比上升 225.5%。截止 2022年 12月，天下充电基本步骤累计数目为 521.0万台，同比填补 99.1%。中国电动汽车充电基本步骤鞭策同盟（EVCIPA）宣布的数据显示：截至 2023年 6月 30日，同盟内成员单元合计上报群多充电桩 214.9万台，个中直流充电桩 90.8万台、互换充电桩 124.0万台。从 2022年 7月 到 2023年 6月，月均新增群多充电桩约 5.2万台。 数据起源：中国电动汽车充电基本步骤鞭策同盟（EVCIPA）、艾媒数据核心 正在群多直流充电桩所需的管事功率和电流哀求下，其采用的功率器件以高压 MOSFET为主。

　　超等结 MOSFET因其更低的导通损耗和开闭损耗、高牢靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件运用产物，实在运用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅帮电源模块等电子就是负电荷。超等结 MOSFET将弥漫受益于充电桩的火速创立。据英飞凌统计，100kW的充电桩必要功率器件价钱量正在 200-300美元，估计跟着充电桩的一向创立，功率器件特别是超等结 MOSFET将迎来高速兴盛机缘。

　　跟着以 ChatGPT以及主动驾驶为代表的人为智能时间的胀起，国际上对任事器及数据核心的需求大增。而数据核压任事器对电源功用的哀求尤其厉苛，因此采用了较多改进的电道拓扑，比方，图腾柱 PFC电道。一个别古代的高压 Si基功率器件时间由于反向还原速率较慢而慢慢被 SiC2

　　或者 GaN器件所庖代，而采用公司发觉的 Si C MOSFET时间的新型功率器件可能完毕 SiC MOSFET的反向还原速率及高电道功用，正在价值与机能之间找到了更好的平均点。跟着人为智能2

　　的兴盛和数据核心创立汹涌澎拜的打开，公司发觉的一系列 Si C MOSFET器件、SiC MOSFET器件及超低电阻超等结器件将可能正在此类市聚合完毕贩卖额的高速增加。

　　凭据工业和新闻化部宣布的数据显示：截至 2023年 6月 30日，我国 5G基站总数达 293.7万个。5G创立将从四个方面拉动功率半导体需求，网罗：1）5G基站功率更高、创立更为汇集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量晋升；3）雾准备为功率半导体带来增量市集；以及 4）云准备拉动准备用功率半导体用量。

　　综上所述，5G通讯基站创立将带来浩瀚的功率半导体需求，首要驱动力来自于基站汇集度和功率哀求、Massive MIMO射频天线、雾运算和云准备的需求晋升。

　　公司是一家以高机能功率器件研发与贩卖为主的时间驱动型半导体企业，产物一心于工业及汽车闭系等中大功率运用界限。公司依附良好的半导体器件与工艺改进才略，聚合上风资源聚焦新型功率器件的拓荒，是国内少数具备从专利到量产完全经历的高机能功率器件计划公司之一，并正在运用于工业级及汽车级界限的高压超等结 MOSFET、中低压功率器件等产物界限完毕了国产化替换。公司基于自立专利时间拓荒出的 650V、1200V及 1350V等电压平台的多种 TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等运用界限的多个头部客户。另表，公司基2

　　于自立专利时间拓荒出的 Si C MOSFET器件具有极好的栅氧牢靠性，同时拥有良好的反向还原时期和反向还原电荷，已通过多个客户验证并进入批量状况，可能用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高功用通讯电源、高功用任事器电源等界限。

　　低压障蔽栅 MOSFET、TGBT系列 IGBT产物以及 SiC器件（含 Si C MOSFET）。公司的产物遍及运用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通讯电源、数据核压任事器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级运用界限，以及以 PC电源、适配器、TV电源板、手机火速充电器为代表的消费电子运用界限。

　　工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载 充电机、5G基站电源及通讯电源、数据 核压任事器电源、储能和光伏逆变器、 UPS电源以及工业照明电源等 消费级： PC电源、适配器、TV电源板、手机火速 充电器等

　　工业级： 电动器械、智能呆板人、无人机、新能源汽车电机把握、逆变器、UPS电源、动力 电池爱戴板、高密度电源等 消费级: 转移电源、适配器、数码类锂电池爱戴板 多口 USB充电器、手机火速充电器、电 子雾化器、PC电源、TV电源板等

　　新能源汽车直流充电桩、通讯电源、工业 照明电源等 消费级： 种种高密度电源、火速充电器、模块转换 器、疾充超薄类 PC适配器、TV电源板 等

　　工业级：新能源汽车直流充电桩电子就是负电荷、变频器、逆变器 电机驱动、电焊机、太阳能、UPS电源等 消费级： 电磁加热等

　　工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载 充电机、储能逆变器、高功用通讯电源 高功用任事器电源等

　　工业级：新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高 功用通讯电源、高功用任事器电源等

　　公司的高压超等结 MOSFET产物首要为 GreenMOS产物系列，通盘采用超等结的时间道理，拥有开闭速率疾、动态损耗低、牢靠性高的特质及上风。

　　公司 GreenMOS高压超等结功率器件的各系列特质以及先容如下表所示：

　　模范通用Generic系列产物包罗500V-950V全系列，拥有低 导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特质，可广 泛运用于种种开闭电源体系的高机能功率转换界限

　　S系列产物正在Generic系列产物的基本进取一步优化了开闭 速率，以较低的开闭速率到达更好的EMI兼容性，极端适 用于对EMI哀求较高的电源体系如LED照明、充电器、适 配器以及大电流的电源体系中

　　E系列产物归纳了模范通用系列产物和S系列产物的性情， 完毕了开闭速率和EMI之间较好的平均，合用于TV电源、 工业电源等界限，开闭速率介于模范通用系列和S系列之间

　　Z系列产物中集成了火速反向还原二极管FRD，拥有火速的 反向还原速率以及极低的开闭损耗，极端合用于种种半桥 拓扑电道、全桥拓扑电道、马达驱动、充电桩等界限

　　公司的中低压 MOSFET产物均采用障蔽栅组织，首要网罗 SFGMOS产物系列以及 FSMOS产物系列。个中，公司的 SFGMOS产物系列采用自瞄准障蔽栅组织，兼备了古代平面组织和障蔽栅组织的长处，并拥有更高的工艺太平性、牢靠性及更疾的开闭速率、更幼的栅电荷和更高的运用功用等长处。公司 SFGMOS系列中低压功率器件产物涵盖 25V-250V管事电压，可遍及运用于电机驱动、同步整流等界限。

　　公司的 FSMOS产物系列采用基于硅基工艺与电荷平均道理的新型障蔽栅组织，兼备平凡VDMOS与瓜分栅器件的长处，拥有更高的工艺太平性、牢靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的运用功用与体系兼容性。

　　Vth较低，可能用5V栅极 驱动。高开闭速率、低开 闭损耗、高牢靠性和相仿 性

　　首要运用于驱动电压较低的同步整流类电源 体系，如5V-20V输出火速充电器、大功率 LED显示屏电源、任事器电源、DC-DC模块 等界限

　　Vth较高，抗滋扰才略强 低导通电阻、高开闭速 度、低开闭损耗、高牢靠 性和相仿性

　　首要运用于驱动电压正在10V以上的电源系 统，如电源同步整流、电机驱动、锂电爱戴 逆变器等界限

　　首要运用于对功率密度有更高哀求的火速充 电器、电机驱动、DC-DC模块、开闭电源等 界限